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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　腰围88是多少 腰围88是多少码　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、腰围88是多少 腰围88是多少码第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi腰围88是多少 腰围88是多少码)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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