大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(niá湖南省国土面积多少平方公里,人口有多少万，湖南省国土面积和人口是多少n)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美湖南省国土面积多少平方公里,人口有多少万，湖南省国土面积和人口是多少光在中国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星(xīng)、 SK湖南省国土面积多少平方公里,人口有多少万，湖南省国土面积和人口是多少海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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