大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目五谷轮回是什么意思的梗，五谷轮回之所是指什么地方的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著五谷轮回是什么意思的梗，五谷轮回之所是指什么地方下降，至少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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