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年下男是什么意思,年上男或者是年下男是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

  据(jù)网(wǎng)信办消息,日前(qián),网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险,影响我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī),我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

  此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安全(quán)审查,目的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全,是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全,防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险,维护国(guó)家安(ān)全(quán),依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头,也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī),2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星年下男是什么意思,年上男或者是年下男是什么意思电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确(què)保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性,巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优势,公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī),如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制,或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu),同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限(年下男是什么意思,年上男或者是年下男是什么意思xiàn)制名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公(gōng)司份额提升,以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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