大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)池鱼思故渊的上一句是什么，羁鸟恋旧林池鱼思故渊内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(g池鱼思故渊的上一句是什么，羁鸟恋旧林池鱼思故渊āo)水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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