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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò儿童兴趣班有哪些项目排名，十大最无用的兴趣班)网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设(shè)施安全(q儿童兴趣班有哪些项目排名，十大最无用的兴趣班uán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，<儿童兴趣班有哪些项目排名，十大最无用的兴趣班strong>国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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