大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢(huān)迎各也傍桑阴学种瓜中的傍是什么意思，也傍桑阴学种瓜的傍是什么意思句国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

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　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供也傍桑阴学种瓜中的傍是什么意思，也傍桑阴学种瓜的傍是什么意思句应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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