大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān兔子有几条腿，兔子有几条腿正兔子有几条腿，兔子有几条腿正确答案确答案)迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

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　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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