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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体x;'>隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(s隶书蚕头燕尾一波三折图解，蚕头燕尾一波三折是什么书体hì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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