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日本最想干掉的国家,日本最恨哪个国家

日本最想干掉的国家,日本最恨哪个国家 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

  美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此,网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查,目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全,是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng),只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全,防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风险,维护国家安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》,网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》,对美光公(gō日本最想干掉的国家,日本最恨哪个国家ng)司(Micron)在华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia(IHS Marki日本最想干掉的国家,日本最恨哪个国家t)统(tǒng)计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性,巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势,公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。日本最想干掉的国家,日本最恨哪个国家>

  有(yǒu)券商(shāng)此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额提(tí)升,以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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