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　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审鸡蛋羹水放多了怎么补救，鸡蛋羹不凝固怎么补救查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(鸡蛋羹水放多了怎么补救，鸡蛋羹不凝固怎么补救xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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