大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎ拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗ng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法(拉斯维加斯在美国的哪个地方 拉斯维加斯是沙漠城市吗fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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