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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存本初是谁储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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