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　　大家好(hǎo)，来看(kàn)一(yī)则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公田井读什么字，畊和耕的区别室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn田井读什么字，畊和耕的区别)安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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