大家好，来看一(yī)则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查两斤大概有多重参照物，2斤有多重？>

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 两斤大概有多重参照物，2斤有多重？SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gō两斤大概有多重参照物，2斤有多重？ng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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