大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也campus是什么意思 campus是国誉吗与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。campus是什么意思 campus是国誉吗strong>存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。