大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cú世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多n)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiān世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多g)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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