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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐln的公式大全，ln4-ln2等于多少)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维ln的公式大全，ln4-ln2等于多少到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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