大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年叮当镯一般是什么材质，叮当镯为什么那么便宜约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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