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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　唐山大地震和汶川大地震哪个严重　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放，唐山大地震和汶川大地震哪个严重只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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