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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)经常对视会产生好感吗，异性经常对视会增加好感与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品经常对视会产生好感吗，异性经常对视会增加好感g>

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。