大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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