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  大家好(hǎo),来(lái)看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息(xī),日前,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn),对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设我花开后百花杀的寓意好吗,待到秋来九月八 我花开后百花杀的寓意施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险,影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息(xī)基础设施安(ān)全,是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放,只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法》,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华我花开后百花杀的寓意好吗,待到秋来九月八 我花开后百花杀的寓意(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

  美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降,至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì),或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75%。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān),设备国产化(huà)进程加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等相关(guān)公司份额(é)提升,以及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增长(zhǎng)。

 

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