大家好，来看(kàn)一(yī)则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(s济南初中排名前十名(济南中学排名)，济南初中排名前50hǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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