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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆(y小迷糊面膜成分安全吗，小迷糊适用年龄段uán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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