大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún过生日小寿星一般指几岁,十八岁可以叫小寿星吗，18岁生日可以叫小寿星吗)储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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