大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最后娶宫羽了吗部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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