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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全(quá银川海拔高度是多少 银川有高原反应吗n)审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)银川海拔高度是多少 银川有高原反应吗少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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