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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据一里地等于多少米 一里地等于多少公里网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo一里地等于多少米 一里地等于多少公里)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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