大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(凝神静气的意思 凝神静气是成语吗chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看凝神静气的意思 凝神静气是成语吗好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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