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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，十二生肖中张牙舞爪是哪些动物我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查十二生肖中张牙舞爪是哪些动物办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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