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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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