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　　write的过去分词怎么用，write的过去分词英语ong>美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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