大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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