大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(d北约可以灭掉俄罗斯吗，北约为什么对抗俄罗斯ì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún北约可以灭掉俄罗斯吗，北约为什么对抗俄罗斯)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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