大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，邵阳学院是几本大学 #ff0000; line-height: 24px;'>邵阳学院是几本大学防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江邵阳学院是几本大学波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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