大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全(q央音展演比赛金奖比例 央音展演总展演是国家级的吗uán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全(qu央音展演比赛金奖比例 央音展演总展演是国家级的吗án)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平央音展演比赛金奖比例 央音展演总展演是国家级的吗对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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