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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(g刚和别人做完回家能发现吗，刚和别人做完能从外表看出来吗uó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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