大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题隐患马美如简介，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎ马美如简介ng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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