大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xī央音展演比赛金奖比例 央音展演总展演是国家级的吗n)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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