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　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī衢州是哪个省的城市 衢州在浙江富裕吗)的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(衢州是哪个省的城市 衢州在浙江富裕吗jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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