大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎn海南是什么气候类型特点，海南是什么气候类型区g)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市(shì)海南是什么气候类型特点，海南是什么气候类型区场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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