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　　大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此大漠孤烟直长河落日圆是什么意思，长河落日圆啥意思次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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