大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停古巴对中国人友好吗，古巴为什么对中国人这么好止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办古巴对中国人友好吗，古巴为什么对中国人这么好公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备(bèi)古巴对中国人友好吗，古巴为什么对中国人这么好厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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