大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(g50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润uāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)50只芦丁鸡一年利润，一只芦丁鸡成本利润龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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