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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士姓张的历史名人有哪些 张姓皇帝一共有几位(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应姓张的历史名人有哪些 张姓皇帝一共有几位商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(姓张的历史名人有哪些 张姓皇帝一共有几位zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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