大家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)上海市中心是哪个区最繁华，上海市中心是哪个区？维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīn上海市中心是哪个区最繁华，上海市中心是哪个区？g)、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōn上海市中心是哪个区最繁华，上海市中心是哪个区？g)司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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