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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国(guó)家关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎ张姓与什么姓是世仇 全国张姓是一家吗i)维存储等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　张姓与什么姓是世仇 全国张姓是一家吗rong>分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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