大(dà)家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán)，是维世上真有孙悟空存在吗，世界上有没有孙悟空护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(x世上真有孙悟空存在吗，世界上有没有孙悟空ī)部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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