大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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